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產(chǎn)品名稱:
日本天谷AMAYA株式會(huì)社制作常壓CVD設(shè)備
產(chǎn)品型號(hào):
D501系列
產(chǎn)品展商:
日本AMAYA天谷制作所
折扣價(jià)格:
0.00 元
關(guān)注指數(shù):77
產(chǎn)品文檔:
無(wú)相關(guān)文檔
AMAYA株式會(huì)社天谷制作所D501系列
常壓CVD裝置，準(zhǔn)備了滿足顧客需求的產(chǎn)品陣容。同時(shí)，定做也對(duì)應(yīng)。
對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體制造用、太陽(yáng)能電池制造用等各種用途。從少量生產(chǎn)到大量生產(chǎn)
形成SiO2、BPSG、BSG、PSG等各種膜種
采用SiC托盤防止重金屬污染，從低溫（200℃）到中溫（500℃）區(qū)域可以廣泛成膜
日本天谷AMAYA株式會(huì)社制作常壓CVD設(shè)備
的詳細(xì)介紹
日本AMAYA株式會(huì)社天谷制作所
用于小規(guī)模生產(chǎn)和開發(fā)的柔性常壓CVD設(shè)備
D501系列
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用于將多個(gè)晶圓裝入大托盤的間歇式常壓CVD設(shè)備
特征
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這是一種間歇式常壓CVD系統(tǒng)，其中多個(gè)晶圓被裝入一個(gè)大托盤中，托盤在分散頭下往復(fù)運(yùn)動(dòng)以形成薄膜。
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它可用于變形的基材。
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它具有緊湊的儀器尺寸和較小的占地面積。
性能
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均勻的薄膜厚度
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取決于薄膜類型和厚度
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支持的晶圓尺寸
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根據(jù)可加熱區(qū)
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氣體種類
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SiH4， O 2， PH 3， B 2 H6， N 2（TEOS， TEB， TMOP，O 3， TMA 可選）
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薄膜沉積溫度
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350°C~450°C
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生產(chǎn)力
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主要規(guī)格
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設(shè)備尺寸
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1200毫米（寬） x 2480毫米（深） x 1940毫米（高）
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加熱機(jī)構(gòu)
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電阻加熱
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裝載卸載
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手動(dòng)方法
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分散頭（氣體噴嘴）
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A63頭
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